第四百五十五章 卖坦克的银河安保 (第2/3页)
DUV浸润式光刻机HUDV-400型光刻机，套刻精度为五点五纳米，采用单次曝光技术就已经满足28-45纳米节点的芯片生产。
这款光刻机的早期型号尽管生产效率不太行，导致芯片的生产成本会比较高，但是其意义是非常重大的。
该款光刻机的出现直接导致了老美的那几家财团打消了在DUV浸润式光刻机领域里封锁智云集团的念头……徐申学都已经做出来了同类的光刻机了，继续封锁已经没有了太大意义。
后续，仙女山控股旗下的海湾科技又做出来了深度改进型号HDUV-500型光刻机，不仅仅生产效率大幅度提升，达到了ASML同类产品的水准，更具备了三点五纳米的套刻精度，这意味着该款光刻机可以使用双重曝光技术，用来生产等效12-18纳米工艺节点的芯片。
上述的HDUV-400以及HDUV-500虽然做的都挺不错的，但是部分技术细节上还是略有不如国外的ASML同级别产品的，毕竟研发时间仓促，能够搞出来就不错，一些小问题后头可以慢慢解决。
这也是当时虽然智云微电子采购了这两款光刻机，但是依旧采购了不少ASML的NXT1950以及1970光刻机的缘故，当时采用的还是两条腿走路的方式。
但是等到HDUV-600时代又不一样了，这款光刻机可以说汇集了仙女山控股，不，甚至是整个华夏工业体系的所有顶级科技。
并且在徐申学的大量资源投入下，大量科研人员的日夜奋斗之下，这款光刻机的技术进行了非常快速的迭代，从一开始的勉强可用的基本状态，再到改进型A型号，再到完善型号B型号。
等到HDUV-600B型的时候，其基本性能已经完全不弱于ASML的同级别NXT1980光刻机，也就是无故障时间短了点，后期维护稍微麻烦一些。
但是在生产效率，制造精度上已经属于同一层次了。
HDUV-600型光刻机，可以说是海湾科技在DUV浸润式光刻机里的集大成者，技术非常完善，采用双次曝光可以应用于等效10-14纳米工艺，采用四重曝光技术的话，则是可以用于等效七纳米工艺。
该款HDUV-600光刻机目前是海湾科技的浸润式光刻机出货主力型号，哪怕单价达到八千多万美元累积订单已经超过了五十台。
不过目前因为产能稀缺，所以暂时也只有一个客户，那就是智云微电子，其他客户都得排队等着。
智云微电子目前采用这款光刻机，用来生产等效七纳米工艺的芯片，而后续则是会用于10-14纳米工艺的产能扩充上。
毕竟这款光刻机虽然可以使用四重曝光技术，但实际上使用双重曝光才是它的主要任务，也更加适合。
采用这款光刻机生产10-14纳米工艺的芯片，效率更高，成本也更低。
未来很多年里，HDUV-600型光刻机都将会是智云微电子的主力生产光刻机，因为等效10-14纳米工艺在很多年里都不会过时，研究半导体市场的分析师认为，未来十年内等效10-14纳米工艺依旧会是主力工艺，占据主要的半导体市场份额。
基于智云微电子的庞大需求以及国内其他半导体制造厂商，如中芯，北微等厂商的需求，未来这款光刻机的需求量会持续很多年，销量不会低的。
再加上虽然性能落后一些，但是价格也更低，适合生产成熟工艺的HDUV-500以及HDUV-400。
三款HDUV系列光刻机一起，承担起来了海蓝科技光刻机项目的主要营收以及利润来源，也承担起来了华夏的半导体制造业的核心设备的重任。
当然，现在的DUV浸润式光刻机已经不是什么卡脖子，也不是前沿顶级的技术了，目前徐申学和老美那几家财团竞争的是EUV光刻机为核心的下一代半导体制造技术。
以EUV光刻机为核心的下一代半导体制造技术，将会用于等效七纳米工艺以及五纳米乃至更低工艺节点的未来逻辑芯片制造上。
同样在储存芯片上，未来想要继续往下进行技术突破，也需要依靠分辨率更小的EUV光刻机。
目前智云微电子旗下的顶级内存生产工艺‘10B’工艺，实际工艺节点是十六纳米……而这个工艺节点已经逼近了HDUV-600B型光刻机的物理极限。
在采用EUV光刻机之前，已经很难再往下进行技术突破了……
未来的预定的10C工艺以及10D工艺，都是需要采用EUV光刻机来支撑的。
同样的闪存芯片领域也同样如此，目前智云微电子旗下制造闪存的顶级工艺，也是使用的HDUV-600B光刻机，其手机产品将会在今年随着新一代的S18手机推向市场。
而下一代的工艺技术同样需要EUV光刻机的支撑……当然，闪存工艺相对来说还可以变通一二，可以通过堆迭更多的层数来减少对工艺制程的需求，所以哪怕没有EUV光刻机，其实也能够生产更多层数的闪存芯片！
但是如果能够有更多层数的同时，还能够缩小晶体管
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